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本发明公开了一种SOI芯片、制备方法、智能功率模块、电器及空调，SOI芯片包括：依次层叠设置的顶层硅、埋氧层和衬底，其中，所述SOI芯片的器件有源区设置于所述顶层硅中；其中，所述衬底为金属衬底。本发明的SOI芯片、制备方法、智能功率模块、电器及空调，通过在SOI芯片的顶层硅中设置器件的有源区，并采用金属材料作为衬底材料，以在能实现衬底的机械支撑作用的基础上，通过金属的导热属性将顶层硅中的器件工作所产生的热量传导至衬底并散发，有效改善了SOI芯片的散热能力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113421913 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110578171.2 H01L 23/367 (2006.01)
(22)申请日
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