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本发明实施例公开了一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质；该方法可以包括：从所述待测液面与所述石英柱底端接触开始，按照设定的单次下降距离多次下降所述待测液面后，获取所述待测液面和所述石英柱底端的距离与籽晶在所述待测液面上形成的亮环之间的像素间距离的对应关系；在单晶硅棒生长过程中，获取所述单晶硅棒的尾端在熔体液面上形成的亮环之间的实测像素间距离；基于所述实测像素间距离以及所述对应关系，确定所述熔体液面与所述石英柱的底端的实测距离；基于所述实测距离与所述石英柱底端和所述导流筒的最低点的间距
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113403680 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110679842.4
(22)申请日 2021.06.18
(71)申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司
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