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本发明公开了一种防静电效果好的半导体,包括半导体主体、第一卡环、T型条、限位条、连接管、第一安装管、第一连接环、安装孔、限位块、第一安装盖、连接引脚、卡块、挡块、第二卡环、安装板、第二连接环、第二安装管、第二安装盖、限位杆、散热孔、限位孔、第一散热板、第一弧形杆、限位柱、连接杆、限位凹槽、导热板、支撑杆、第二散热板和第二弧形杆,该半导体,利用半导体主体、连接管、第一安装盖和第二安装盖的外部均覆有防静电膜,有利于防静电,同时利用安装的导热板、第一散热板和第二散热板,有利于对半导体主体进行散热处理,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410187 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110522158.5
(22)申请日 2021.05.13
(71)申请人 广东仁懋电子有限公司
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