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2023-06-22 发布于四川
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HKMG结构制作方法.pdf

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本发明公开了一种HKMG结构制作方法，包括以下步骤：优化在衬底上的N型金属栅区域和P型金属栅区域形成顺序，依次形成栅氧化层、高K介质层、可选过渡层、P型功函数刻蚀停止层、P型功函数层和伪多晶硅栅刻蚀停止层；N型金属栅区域和P型金属栅区域执行伪多晶硅栅工艺；去除伪多晶硅栅；打开N型金属栅区域的伪多晶硅栅刻蚀停止层；去除N型金属栅区域的P型功函数层；形成N型功函数层；形成金属栅。本发明能在不增加工艺步骤的前提下，能有效控制HKMG工艺中常见的铝扩散问题，并减少P型金属栅填充时film层数，从而可以有

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394110 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110599383.9 (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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