存储器件及其制造方法.pdfVIP

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本发明的实施例提供了一种存储器件及其制造方法，所述存储装置包括衬底、设置在衬底上的薄膜晶体管(TFT)；以及设置在所述衬底上并且与所述TFT重叠的存储单元。TFT被配置为有选择地向存储单元供电。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394221 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110617652.X H01L 27/11509 (2017.01)

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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