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实施方式提供能够实现高集成化的半导体存储装置。半导体存储装置具备:多个第1导电层,在第1方向上排列;第1半导体层,与多个第1导电层对置;多个第1存储单元,设置于多个第1导电层与第1半导体层的交叉部;多个第2导电层,在第1方向上排列;第2半导体层,与多个第2导电层对置,在第1方向的一端与第1半导体层连接;多个第2存储单元,设置于多个第2导电层与第2半导体层的交叉部;及多个第1接触件,在第1方向上延伸,与多个第1导电层连接。在将多个第1导电层与多个第1接触件的连接部分设为多个第1连接部时,多个第1连
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410246 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110053452.6 H01L 27/11521 (2017.01)
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