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本发明公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法,属于半导体封装技术领域,通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上,实现单芯片与DAF胶带的贴合,然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明的实施,有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题,从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本发明方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本发明方法对于单芯片的粘晶,可以将底部空洞率控制在5%以内,胶层均匀性控制在10%,溢胶范围不超过
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410164 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110663132.2
(22)申请日 2021.06.15
(71)申请人 西安微电子技术研究所
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