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一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件.pdfVIP

一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件.pdf

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    本发明公开了一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其中包含合封的SiC‑JFET管芯和Si‑LDMOS管芯，Si‑LDMOS管芯的漏极与SiC‑JFET管芯的源极相连，SiC‑JFET管芯的漏极从背面引出，作为SiC功率器件成品的漏极引出，Si‑LDMOS管芯的栅极引出作为SiC功率器件成品的栅极引出，Si‑LDMOS管芯的源极从背面引出，与SiC‑JFET管芯的栅极相连并引出作为SiC功率器件成品的源极引出。本发明提出了一种新封装结构，通过加大引线框架面积，将SI‑LDMOS管芯焊接在框架上

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410217 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110836964.X (22)申请日 2021.07.23 (71)申请人 苏州华太电子技术有限公司

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