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2023-06-22 发布于四川
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MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室.pdf

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本申请涉及一种MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室。MOCVD腔体结构包括：天棚；石墨基座，位于天棚的下方，天棚与石墨基座之间形成气体流道，石墨基座的上表面设有多个凹槽，凹槽的侧壁上设有进气口；多个石墨盘，分别设置于对应的凹槽内，进气口位于石墨盘上方；多个盖板，分别可开闭的设置于对应的石墨盘上方，盖板关闭时遮盖对应的石墨盘；第一气路，穿过天棚连通气体流道；第二气路，穿过天棚连通凹槽侧壁上的进气口。本申请的MOCVD腔体结构可用于在一次生长过程中实现多种外延结构的生长，提高研发的效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113403609 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110665454.0 (22)申请日 2021.06.16 (71)申请人苏州矩阵光电有限公司

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