一种背入射p-i-n结构钙钛矿太阳电池及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种背入射p-i-n结构钙钛矿太阳电池及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种背入射p‑i‑n钙钛矿太阳电池及其制备方法，利用垂直生长于FTO衬基上的氧化铜纳米棒阵列作为钙钛矿太阳电池的空穴传输层，并制成以FTO为阴极和透明复合电极（V2O5/Ag/V2O5）为阳极的背入射钙钛矿太阳电池。发现氧化铜纳米棒阵列构筑的背入射p‑i‑n钙钛矿太阳电池的短路电流密度为23.98mA/cm2，效率为17.46%；与氧化铜纳米薄膜空穴传输层制备的钙钛矿电池相比，氧化铜纳米阵列空穴传输层制备的钙钛矿电池的短路电流密度和效率大幅度提升，短路电流密度提高了约1.4倍，效率

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113394343 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202110020736.5 H01L 51/48 (2006.01) (22)申请日 2021.01

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