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2023-06-22 发布于四川
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提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置(100)构成为相邻地设置有绝缘栅型双极晶体管区域(1)和二极管区域(2)，绝缘栅型双极晶体管区域具有：第2导电型的基极层(9)，设置于第1主面侧的表层；以及第1导电型的发射极层(8)，选择性地设置于基极层(9)的第1主面侧的表层，俯视观察时在第1方向上具有宽度方向，二极管区域具有：第2导电型的阳极层(11)，设置于第1主面侧的表层；以及第1导电型的载流子注入抑制层(10)，选择性地设置于阳极层的第1主面侧的表层，俯视观察时在第2

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394279 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110244642.6 (22)申请日 2021.03.05 (30)优先权数据

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