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处理基板的方法.pdfVIP

处理基板的方法.pdf

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    本公开的实施例总体上涉及处理基板的方法。方法包括使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物、使基板暴露于含硼气体混合物，及在处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于基板上沉积硼‑碳膜。含烃气体混合物与含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入处理容积。硼‑碳硬掩模膜为高深宽比特征(例如10：1或以上)和小尺寸器件(例如7纳米节点或以下)提供高模量、蚀刻选择性和应力。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113424297 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202080014477.9 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公

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