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本发明公开了一种超快恢复器件芯片制造工艺，包括以下步骤：1)来料处理：配置清洗液，硫酸：双氧水＝6：1加热到120℃清洗15分钟，冲水甩干；2)场氧化：使用一定比例的氢氧合成工艺生长氧化层；3)窗口光刻：使用正胶光刻工艺确保细线条；4)硼预扩：用气态硼源预扩形成淀积层5)硼主扩：使用高纯碳化硅管高温推结并生长出较厚正面氧化层；6)背面铂蒸发：使用电子束蒸发台背面蒸发铂金属；7)铂扩散：使用1000℃高温铂扩散30分钟；8)引线孔光刻：使用正胶工艺光刻；9)正面蒸发钛镍银；10)正面金属光刻；11
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394095 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110680350.7
(22)申请日 2021.06.18
(71)申请人 江苏晟驰微电子有限公司
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