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本发明涉及一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:电介质层,所述电介质层具有第一侧和相对的第二侧;源电极、与所述源电极分开的漏电极以及设置在所述源电极和所述漏电极之间并与所述源电极和所述漏电极接触的半导体部件,所述源电极、所述漏电极和所述半导体部件设置为邻近所述电介质层的所述第一侧;以及栅电极,所述栅电极设置为邻近所述电介质层的与所述半导体部件相对的所述第二侧;其中所述半导体部件包含基于芳烃‑双(二甲酰亚胺)的一种或多种n型有机半导体材料,并且其中所述薄膜晶体管具有测量为从所述源电极到所述漏电极的最
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113396490 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 201980077094.3 (74)专利代理机构 北京信诺创成知识产权代理
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