一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法.pdf

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本发明涉及一种降低p型III‑V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法。该方法使用一组优化的参数来生长接触层，包括：使用N2、H2混合载气生长接触层；使用TMGa生长接触层；使用较高的反应腔室气压来生长接触层；在较高温度和较低In源流量的条件下生长接触层。本发明提高了接触界面的空穴浓度，使得接触电极与半导体界面的肖特基势垒变薄，电子可以通过隧穿效应穿过界面势垒，形成良好的欧姆接触，降低接触电阻，进而降低发热量，提高器件寿命。本发明对降低比接触电阻率有优异的效果，并且具有制备效率高，材料适应性

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113421917 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202110256743.5 H01S 5/042 (2006.01) (22)申请日 2

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