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沟槽栅IGBT的元胞结构、其制备方法及沟槽栅IGBT.pdfVIP

沟槽栅IGBT的元胞结构、其制备方法及沟槽栅IGBT.pdf

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    本公开提供沟槽栅IGBT的元胞结构、其制备方法及沟槽栅IGBT，所述元胞结构包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；位于所述漂移层内并位于所述元胞结构中心位置的第一沟槽栅和贯穿所述第一沟槽栅的第二沟槽栅；位于所述漂移层上方的发射极金属层；其中，所述第一沟槽栅通过第一连接孔连接至所述发射极金属层，所述第二沟槽栅与所述发射极金属层之间通过层间介质层隔离。在不改变元胞面积的情况下，通过将真假栅极整合在一个元胞中，解决了假栅极导致的芯片面积增大的问题。不仅不会影响沟槽之间的间距和导电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113394277 B (45)授权公告日 2022.05.20 (21)申请号 202010165425.3 H01L 29/423 (2006.01)

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