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本发明提供了一种基于聚焦离子束刻蚀的加工正型结构的方法,包括以下步骤:S1,在衬底上沉积一层金属薄膜;S2,使用聚焦离子束刻蚀技术在所述金属薄膜上刻蚀负型结构,所述负型结构的底部贯通金属薄膜;S3,再在所述金属薄膜的上表面沉积黏附层,然后在所述黏附层上沉积二次沉积材料,同时保证在所述负型结构内填充所述黏附层和二次沉积材料;S4,在所述二次沉积材料的上表面黏附透明胶带,所述透明胶带对所述二次沉积材料的上表面进行全覆盖并露出至少一个边沿;S5,通过露出的边沿,将所述衬底上的金属薄膜剥离,留下所述负型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113415782 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110674301.2
(22)申请日 2021.06.17
(71)申请人 嘉庚创新实验室
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