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2023-06-22 发布于四川
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一种抑制区熔级多晶硅CVD过程中硅枝晶生长的界面浸润性调控方法.pdf

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本发明公开了一种抑制区熔级多晶硅CVD过程中硅枝晶生长的界面浸润性调控方法，涉及区熔级多晶硅领域，包括U型硅芯表面除去表面杂质；置于热裂解炉反应器内部，用氮气置换空气；用氢气置换氮气；持续通入氢气，对反应器内硅芯加载电流，使硅芯表面氧化层还原，调控其浸润性并构筑“超亲硅”表面；调节电流控制硅芯达到反应温度，通入高纯硅烷和高纯氢气的混合气，硅烷在硅芯表面高温裂解，产物硅在“超亲硅”硅芯表面均匀成核、“层状生长”，最终得到致密的多晶硅棒。本发明通过表界面调控，降低成核势垒，可有效抑制硅沉积过程中的“

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113387360 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110573715.6 (22)申请日 2021.05.25 (71)申请人河南硅烷科技发展股份有限公司

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