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2023-06-22 发布于四川
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金属栅的制造方法.pdf

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本发明公开了一种金属栅的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成多个多晶硅伪栅。步骤二、形成低介电常数侧墙，包括：步骤21、形成第一保护层；步骤22、形成第二低介电常数层；步骤23、形成第三保护层；步骤24、进行全面刻蚀在多晶硅伪栅侧面形成由第一保护层、第二低介电常数层和第三保护层叠加形成的低介电常数侧墙。步骤三、形成第零层层间膜。步骤四、进行栅极替换，包括：步骤41、去除多晶硅伪栅并形成栅极沟槽；步骤42、在栅极沟槽中形成金属栅。本发明既能实现低介电常数侧墙，又能防止低介电常数侧墙在工艺过程

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394111 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110600293.7 (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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