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本发明的实施方式提供一种可靠性高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备半导体衬底、存储单元阵列、以及第1及第2配线。半导体衬底具备第1区域~第3区域及第4区域~第6区域。存储单元阵列具备:多个第1导电层,在第1区域至第3区域中在第2方向延伸且在第1方向积层;第1及第2半导体层,设置在第1及第3区域,在第1方向延伸,且与多个第1导电层对向;第1及第2接点,设置在第4及第6区域,在第1方向延伸;及第3半导体层,设置在第5区域,在第1方向延伸。第1配线在第1区域及第4区域中连接于第1半导体层及
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410240 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202010830533.8
(22)申请日 2020.08.18
(30)优先权数据
2020-0458
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