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2023-06-22 发布于四川
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本发明涉及一种离子注入方法。所述离子注入方法在形成注入掩膜的过程中，在半导体基底上先形成ONO叠层，然后依次刻蚀其中的第二氧化层和氮化层而第二开口，当所述第二开口的深度满足离子注入要求时，以具有第二开口的ONO叠层作为注入掩膜。在获得第二开口的过程中，以垂直于半导体基底上表面的角度刻蚀第二氧化层和氮化层，从而得到的第二开口的垂直性好，形貌易于控制，有助于提高离子注入的精度，便于满足小线宽器件设计的形貌控制要求，而且，ONO叠层的膜稳定性好，即使为了满足高能离子注入而厚度设置得较大时也不容易倒塌，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394085 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110654050.1 (22)申请日 2021.06.11 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司

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