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2023-06-22 发布于四川
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半导体存储器件及其制造方法.pdf

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一种半导体存储器件和用于制造半导体存储器件的方法，所述器件包括：位于衬底上的外围逻辑结构；位于所述外围逻辑结构上的水平导电衬底；包括沿垂直方向堆叠的多个电极焊盘的堆叠结构；连接到所述水平导电衬底的板接触插塞；以及连接到所述下连接布线主体的第一穿透电极，其中，所述板接触插塞的上表面和所述第一穿透电极的上表面位于同一平面上，所述板接触插塞包括彼此直接连接的上部和下部，所述第一穿透电极包括彼此直接连接的上部和下部，远离所述板接触插塞的所述上表面和所述第一穿透电极的所述上表面移动，所述上部的宽度增大并且

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394227 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110198791.3 (22)申请日 2021.02.22 (30)优先权数据 10-2020-0

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