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本发明提供了一种IO电路,包括上拉单元和下拉单元,所述上拉单元包括PMOS管、上拉多晶硅电阻以及第一共享总线,所述PMOS管的漏极与所述上拉多晶硅电阻的一端一一对应连接,且所述第一共享总线连接所有所述上拉多晶硅电阻的一端,所述下拉单元包括NMOS管、下拉多晶硅电阻以及第二共享总线,所述NMOS管的源极均接地,所述NMOS管的漏极与所述下拉多晶硅电阻的一端一一对应连接,且所述第二共享总线连接所有所述下拉多晶硅电阻的一端,所述上拉单元共享所述上拉多晶硅电阻,所述下拉单元共享所述下拉多晶硅电阻,从而降
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113406911 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110785686.X
(22)申请日 2021.07.12
(71)申请人 上海安路信息科技股份有限公司
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