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3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法.pdfVIP

3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法.pdf

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    本发明公开了一种3D存储器桥接结构的关键尺寸的监测方法。该监测方法包括：在衬底上形成叠层结构和以平面图案分布的多个测量结构；以及采用多次刻蚀步骤，在所述叠层结构中形成第一台阶结构、第二台阶结构，以及连接所述第一台阶结构和所述第二台阶结构的桥接结构；其中，在所述多个刻蚀步骤中，采用所述多个测量结构分别测量所述桥接结构的线宽变化。该监测方法采用平面图案的测量结构测量和表征桥接结构的关键尺寸并通过改进工艺参数对其关键尺寸进行优化，从而提高半导体器件的良率和可靠性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113394127 B (45)授权公告日 2022.04.19 (21)申请号 202110665945.5 (56)对比文件

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