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二维溴掺杂的[3,3-二氟环丁基胺]2CuClXBr4-X分子压电晶体溶液生长法.pdfVIP

二维溴掺杂的[3,3-二氟环丁基胺]2CuClXBr4-X分子压电晶体溶液生长法.pdf

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    本发明涉及高性能高质量压电材料制备方法领域，尤其一种二维溴掺杂的大压电3,3‑二氟环丁基胺]2CuClXBr4‑X分子压电材料及其晶体的溶液生长法，包括以下步骤：S1.将[3,3‑二氟环丁基胺]Cl、CuCl2和CuBr2完全溶解在溶剂中；S2.将步骤S1中溶液中的溶剂在室温下缓慢蒸发得到[3,3‑二氟环丁基胺]2CuClXBr4‑X晶体。本案在晶体的制备过程中采用了溴化铜使得晶体的结构中引入了溴元素，从而改变了晶体的压电性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113388890 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110669348.X (22)申请日 2021.06.16 (71)申请人 南昌

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