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一种高导热抗压的氮化硅基板及其生产工艺.pdfVIP

一种高导热抗压的氮化硅基板及其生产工艺.pdf

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    本发明公开了一种高导热抗压的氮化硅基板及其生产工艺，该碳化硅基板包括如下重量份原料：75‑85份α相氮化硅、8‑12份β相氮化硅、3‑8份陶瓷纤维、3‑8份纳米氮化硅、30‑50份增强颗粒、50‑60份环氧树脂862和25‑30份固化剂5010B；本发明在制备碳化硅基板的同时制备了一种增强颗粒，该增强颗粒主链含有大量的苯并噁嗪结构能够增强氮化硅基板的机械性能，同时聚苯醚腈主链和聚苯腈侧链配合，使得氮化硅基板的机械性能进一步的提升，同时增强颗粒含有超大的纵横比及片状结构使得在氮化硅基板基材中能够形

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113388232 B (45)授权公告日 2022.05.06 (21)申请号 202110871493.6 C08L 61/34 (2006.01)

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