高K介质层修复方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约8.04千字
约 8页
2023-06-22 发布于四川
举报
版权申诉

高K介质层修复方法.pdf

1、本文档共8页，其中可免费阅读7页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种高K介质层修复方法，包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上生长超薄界面层；在超薄界面层上沉积高K介质层；在预设温度下采用等离子氧化修复高K介质层；所述预设温度小于500摄氏度。本发明相对传统的高温快速热退火工艺，通过低温等离子氧化方法，低温能避免介质层内部分子热运动加剧，避免由于氧进入到界面处造成的界面层增厚度加。使界面形貌符合设计要求，避免影响器件性能；另一方面，低温环境下HfO2会保持无定形状态，不会发生晶化。本发明不仅可以对HfO2进行充分修复，同时可以防止界面层变厚和HfO2

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394075 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110504592.0 (22)申请日 2021.05.10 (71)申请人

您可能关注的文档

文档评论（0）

知识产权出版社 + 关注: 官方认证

文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

咨询Ta 进入空间

认证主体北京中献电子技术开发有限公司

IP属地四川

统一社会信用代码/组织机构代码: 91110108102011667U

1亿VIP精品文档

更多 >

高K介质层修复方法.pdfVIP