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本发明提供一种微沟槽IGBT及其制作方法,所述微沟槽IGBT包括:半导体衬底和IGBT元胞,IGBT元胞包括:多个真栅极单元,相邻真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元,且假沟槽单元和/或假栅极单元对称设置;相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部,且在真栅极单元两侧通过注入推结在PW导电层下部形成JFET层。本发明将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET,使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度,可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410295 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110704865.6
(22)申请日 2021.06.24
(71)申请人 江苏宏微科技股份有限公司
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