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2023-06-22 发布于四川
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超结MOSFET终端的制备方法.pdf

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本申请公开一种超结MOSFET终端的制备方法，包括如下步骤：提供N+型衬底，在N+型衬底的上表面形成N‑型外延层，将N‑型外延层划分为元胞区、包围元胞区的过渡区和包围过渡区的终端区；掩膜下，经刻蚀，在N‑型外延层形成间隔分布的多个沟槽，填充沟槽，形成至少一个元胞区P柱、第一P柱、至少一个过渡区P柱及多个终端区P柱，第一P柱的中心线与元胞区和过渡区的分界线重合，最靠近终端区的过渡区P柱与多个终端区P柱中，各个P柱的宽度及相邻P柱的中心线的间距沿第一方向均逐渐减小，第一方向为由元胞区指向终端区的方向

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410140 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110629394.7 (22)申请日 2021.06.04 (71)申请人深圳

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