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一种3DNAND存储器及其形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有控制栅和隔离层交替层叠的堆叠结构；形成沿垂直于所述半导体衬底的方向贯穿所述堆叠结构的阵列共源极，所述阵列共源极被第一隔断结构隔开成至少两个子阵列共源极，所述第一隔断结构位于部分所述堆叠结构中；在所述第一隔断结构及所述阵列共源极上形成金属层，所述金属层至少接触相邻的两个所述子阵列共源极，从而使至少两个所述子阵列共源极电连接。本发明的工艺难度较小，不会存在刻蚀的负载，并且一整段连续的金属层使得阵列共源极中的横向电流方向被
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113410245 B
(45)授权公告日 2022.07.19
(21)申请号 202110511671.4 (51)Int.Cl.
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