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本发明公开了一种实现低温扩散的硼源，属于硼扩散技术领域，一种实现低温扩散的硼源，本发明采用不含金属元素的硼酸铵盐，结合低成本的环保型溶剂，制得安全无毒、不易造成半导体硅污染的硼源溶液，符合现代工艺所要求的低成本和环境友好等特点，同时，本发明一方面可在900℃以下实现均匀硼扩散，实现扩散层薄层电阻在60‑1200Ω之间可控，另一方面，在900℃以上也可实现均匀硼扩散，实现扩散层薄层电阻10‑250Ω之间可控，通过实现低温扩散有效减小了对器件的热损伤，提高成品质量，并且，本发明工艺流程简单，均匀性良
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410134 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110635041.8
(22)申请日 2021.06.08
(71)申请人 河南大学
地址 47
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