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本发明公开了一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法,包括步骤:S1、通过光刻、蚀刻以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构;S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜和银薄膜,以形成探针阵列硅基底;S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜,并进行加热以使镓膜成为液态,以形成镓膜衬底;S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上;S5、将探针阵列硅基底滑动连接于垂直滑轨上;S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源,以形成电场;S7、通过控制电场强度,以及镓膜衬底、探针阵列硅基底于水平滑轨、垂直滑轨上的滑动方
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113387323 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110564032.4
(22)申请日 2021.05.24
(71)申请人 杭州电子科技大学
地址
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