1S1R型存储器集成结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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本发明提供了1S1R型存储器集成结构的制备方法，包括制备选通器和阻变存储器，以及将所述选通器和所述阻变存储器串联。所述制备方法使用元素组成相同浓度不同的两份旋涂液和所述反溶剂分别配合使用并通过低温旋涂工艺沉积于两个柔性导电衬底，实现了所述两个柔性导电衬底的导电面覆盖的阻变层具有同种元素组成且厚度不同，然后通过所述步骤S3在不同厚度的阻变层表面分别沉积不同金属材料形成不同顶电极就能够得到选通器和阻变存储器，工艺简单且通过所述步骤S4在所述选通器的顶电极施加正向电压刺激后，将所述选通器和所述阻变存储

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113421964 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202110677823.8 H01L 25/18 (2006.01) (22)申请日 2021.06

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