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2023-06-22 发布于四川
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FinFET SRAM静态噪声容限的边界设计方法.pdf

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本发明提供一种FinFETSRAM静态噪声容限的边界设计方法，提供位于基底上沿纵向间隔排列的P型Fin结构和N型Fin结构，P型Fin结构位于N型Fin结构的一侧；Fin结构上覆盖有沿横向间隔排列的多个栅结构，并且沉积覆盖栅结构以及栅结构之间的Fin结构的TaN层；沉积第一金属功函数层；将位于P型Fin结构一侧的全部第一金属功函数层去除，暴露出的TaN层与剩余的第一金属功函数层的分界面位于N型Fin结构中与P型Fin分界处的第一个N型Fin结构上的中线位置；沉积覆盖暴露出的TaN层和剩余的第一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394220 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110597289.X (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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