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降低导通电阻的半导体装置，具备：从下起依次设置的第一电极、第一及第二半导体层、第一半导体区域、第二半导体区域；第一绝缘膜，设在从第二半导体区域之上经第二及第一半导体区域而到达第二半导体层的沟槽内，包含第一绝缘材料；第二电极，在沟槽内隔着第一绝缘膜与第二半导体层对置；第二绝缘膜，在第五绝缘膜与第二电极侧面之间，设在第二电极的下端起的高度40％的位置与第二电极的上端的位置之间，包含第二绝缘材料；第三电极，设在第二电极、第一以及第二绝缘膜之上，隔着栅极绝缘膜与第一半导体区域对置；层间绝缘膜，设在第三电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410282 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202010798568.8
(22)申请日 2020.08.11
(30)优先权数据
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