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LDMOS器件及其制作方法.pdfVIP

LDMOS器件及其制作方法.pdf

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    本发明提供一种LDMOS器件，包括衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层中的LDMOS器件区，所述LDMOS器件区包括源极区、漏极区以及栅极区，所述源极区和漏极区之间设有漂移区，所述漂移区中还形成有第一导电类型顶部区，该第一导电类型顶部区上还设有类栅结构的控制阀。本发明将LDMOS器件通过在P_top区上方设置场板结构，该场板结构可在LDMOS器件的栅极处于第一电位时，在P_top区上部形成反型区即电子的低阻流通路径，可有效提升器件的电流能力，降低器件的比导通电阻；在LDMOS器件的栅

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410303 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202010999057.2 (22)申请日 2020.09.22 (71)申请人 杰华特微电子股份有限公司

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