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本发明公开了一种沟槽栅极金属氧化物半导体场效应管,包括场效应管主体、栅极引脚、源极引脚、漏极引脚、导热板、第一绝缘外壳、第二绝缘外壳、第一防护外壳、第二防护外壳、连接槽、连接板、连接螺孔、连接螺钉、板槽、悬板、定位孔、定位柱、固定座、压紧螺孔、压紧螺钉、压紧框、耳板、固定孔、橡胶套、引出孔、框槽、限位框、锁紧螺孔、锁紧螺钉、散热板、导热柱和柱孔;该发明采用分体式固定方式,便于安装和拆卸,降低了场效应管的维修成本,减少了安装和拆卸过程中的不必要损伤,提高了场效应管安装的牢固性和抗压性能,延长了场效
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410189 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110561703.1
(22)申请日 2021.05.23
(71)申请人 广东仁懋电子有限公司
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