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本发明提供了一种基于古斯‑汉森位移的高灵敏度光波长传感器,属于光学技术领域。高灵敏度光波长传感器的光子晶体包括石墨烯单层,石墨烯单层的入射侧设置有第一周期性晶体,石墨烯单层的出射侧设置有第二周期性晶体,石墨烯单层与第一周期性晶体之间、石墨烯单层与第二周期性晶体之间分别嵌入有一缺陷层;第一周期性晶体包括交替分布的若干第一电介质层和若干第二电介质层,第二周期性晶体包括交替分布的若干第三电介质层和若干第四电介质层。本发明能够探测入射光波长和同时实现拓扑边界态附近大的反射率和古斯‑汉森位移。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113418618 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110841658.5
(22)申请日 2021.07.26
(71)申请人 湖北科技学院
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