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本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种结构包括：包括第一半导体区域和第二半导体区域的半导体衬底；在第一半导体区域中的第一晶体管；以及在第二半导体区域中的第二晶体管。第一晶体管包括：在第一半导体区域之上的第一栅极电介质；在第一栅极电介质之上并与其接触的第一功函数层；以及在第一功函数层之上的第一导电区域。第二晶体管包括：在第二半导体区域之上的第二栅极电介质；在第二栅极电介质之上并与其接触的第二功函数层，其中，第一功函数层和第二功函数层具有不同的功函数；以及在第二功函数层之上的第二导电区域。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410178 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110141088.9
(22)申请日 2021.02.01
(30)优先权数据
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