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本发明涉及一种半导体装置及形成方法。所述半导体装置中，在栅极结构的上表面和侧墙上保形覆盖有第一层间介质层，第一层间介质层即作为处于底部的层间介质材料，所述第一层间介质层中沿厚度增加的方向硅元素富余程度经过了上升后再下降的变化。第一层间介质层对于半导体工艺中采用的等离子体不仅可以起到物理隔离作用，并且其中富余的硅提供的悬挂键可以起到吸收游离电荷的作用，因此可以降低栅极介质层被破坏的风险，避免GOI失效，延长器件的使用寿命，使得所述半导体装置的可靠性较高。所述形成方法可用于形成上述半导体装置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394294 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110643637.2
(22)申请日 2021.06.09
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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