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2023-06-22 发布于四川
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一种半导体结构及其制备方法.pdf

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本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。制备半导体结构的方法包括：刻蚀半导体衬底以形成多个分立的初始鳍部，所述初始鳍部包括分立的第一初始鳍部和第二初始鳍部；形成隔离结构，以覆盖半导体衬底并暴露出初始鳍部中第一初始鳍部的顶面，且隔离结构的上表面高出第一初始鳍部的顶面预定高度；以及在第一初始鳍部的顶面形成外延层。根据该制备方法，通过在部分初始鳍部上形成外延层可使具有不同鳍部高度的鳍式场效应晶体管集成在一个芯片上，并有利于根据实际需要调整该芯片的电路性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113421853 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202110709349.2 (22)申请日 2021.06.25 (71)申请人长江存储科技有限责任公司

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