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公开了一种量子点、其制造方法以及包括其的量子点复合物和装置,其中,量子点包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的合金半导体纳米晶体,在量子点中,镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1,磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1,量子点不包括镉,在量子点的UV‑Vis吸收光谱中,第一吸收峰存在于小于或等于约520nm的范围内。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113388391 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110277216.2 B82Y 40/00 (2011.01)
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