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深紫外发光元件及其制备方法.pdfVIP

深紫外发光元件及其制备方法.pdf

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    本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中，所述深紫外发光元件包括：衬底、依次形成于所述衬底上的第一缓冲层、Al极性面修饰层、第二缓冲层、合并层、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层。本发明通过形成Al极性面修饰层，减少了晶格失配，降低了深紫外发光元件的位错和缺陷密度，进而提升了深紫外发光元件的发光效率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113394315 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202110662668.2 (51)Int.Cl.

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