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一种降低石墨烯形核密度的方法.pdfVIP

一种降低石墨烯形核密度的方法.pdf

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    本发明公开了一种有效降低石墨烯形核密度的方法；在使用丙酮、无水乙醇和去离子水对铜箔进行清洗后，将铜箔在200℃空气中氧化60min，再在非还原性的氩气升温至1000℃，再通入氢气和甲烷进行生长。本发明提出的降低石墨烯形核密度的方法，操作简单、效果显著。同时在本方法的基础上可探究不同的升温和退火环境对石墨烯形核密度的影响，进一步降低石墨烯的形核密度，提高石墨烯单晶的尺寸。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113387345 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110396336.4 (22)申请日 2021.04.13 (71)申请人 华南理工大学 地址

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