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本公开实施例公开了一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法，所述薄膜沉积设备包括：处理腔室，包括腔体和位于腔体内的容置空间；遮蔽组件，位于容置空间内，用于遮蔽腔体的腔壁，并在容置空间内形成子空间；承载台，位于子空间内，用于承载半导体结构；气体输入装置，位于腔体的顶部，并与子空间连通，用于向子空间内提供第一气体和第二气体；其中，在第一温度条件下，第一气体和第二气体反应生成固态副产物，并在半导体结构表面形成固态薄膜；第一加热装置，位于子空间内，且位于遮蔽组件上，用于将子空间加热至第二温度；其中，第二温度大于第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113430501 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110676342.5
(22)申请日 2021.06.18
(71)申请人 长江先进存储产业创新中心有限责
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