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本发明公开了一种晶体管制造方法，包括：在外延片上热生长场氧化层后，多次进行导电掺杂杂质的注入，以形成承压环PN结、源区PN结和截止区PN结，源区PN结与承压环PN结部分重叠；在场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并在掺杂氧化层PSG开设源区接触孔和截止区接触孔；在掺杂氧化层PSG、源区接触孔和截止区接触孔淀积金属层，并去除源区接触孔对应的源极与截止区接触孔对应的场板之间的无效金属层。本发明还公开了晶体管制造设备、计算机可读存储介质、程序产品。本发明多次注入导电掺杂杂质，在外延片上形成导通性良好的承
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451137 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110723708.X
(22)申请日 2021.06.29
(71)申请人 深圳铨力半导体有限公司
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