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本申请公开了三维存储器的制备方法,包括:刻蚀在衬底上形成的堆叠结构,形成贯穿堆叠结构的沟道孔,其中,堆叠结构包括沿垂直于衬底的方向交替堆叠的层间绝缘层和牺牲层,层间绝缘层为氧化硅层,牺牲层为氮化硅层;刻蚀堆叠结构,形成贯穿堆叠结构的沟道孔;以及用硫酸‑过氧化氢混合物(SPM)对沟道孔进行处理,其中,硫酸‑过氧化氢混合物的温度不低于125℃,和/或组成硫酸‑过氧化氢混合物的硫酸和过氧化氢的体积比不大于6.4:1。用硫酸‑过氧化氢混合物对沟道孔进行处理,可以在清洗沟道孔中残留的杂质的同时,实现沟道孔
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113437083 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110727081.5 H01L 21/311 (2006.01)
(22)申请日
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