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本发明公开一种波导器件及其制备方法,涉及半导体制造技术领域,以解决在氮化硅薄膜厚度较厚的情况下,在大面积生长氮化硅薄膜时,氮化硅薄膜存在较大的应力,易产生裂纹,从而影响波导器件的性能的技术问题。包括:提供一基底;在第一介质层上形成具有至少一个区域槽的第二介质层。当第二介质层的厚度大于预设厚度时,第二介质层包括多次形成的多个第二子介质层。其中,第二介质层为氮化硅介质层,形成每个第二子介质层均包括:在第一介质层上淀积第二介质材料层,对第二介质材料层依次进行第一图案化处理和热处理,得到第二子介质层,在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113471656 B
(45)授权公告日 2022.05.06
(21)申请号 202110604680.8 审查员 曹乾
(22)申请日 2021.05.31
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