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本发明提供了一种发光芯片及其制备方法，其中，所述发光芯片包括衬底；依次设置在所述衬底之上的电流扩散层、P型半导体层、发光层和N型半导体层；所述N型半导体层、所述发光层和所述P型半导体层均部分覆盖所述电流扩散层设置在所述电流扩散层上形成有台阶面；在所述台阶面上设置有P电极；在所述N型半导体层之上设置有至少一层ITO阻挡层；以及在所述至少一层ITO阻挡层之上设置有N电极。本发明的发光芯片利用了锡膏中游离的金属单质在ITO阻挡层中的渗透能力弱的特性，通过在N电极和N型半导体层之间设置至少一层ITO阻挡
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113451469 B
(45)授权公告日 2022.05.31
(21)申请号 202010475808.0 (51)Int.Cl.
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