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一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，属于通讯技术领域。首先对基体进行湿法清洗，干燥后置入真空腔内，采用等离子体对基体进行轰击处理；其次，在不脱离真空条件下磁控溅射沉积高活性的金属或过渡金属化合物作为粘附层；再次，在不脱离真空条件下，采用磁控溅射方法在粘附层表面沉积金属薄膜作为信号传输导体层；最后，在信号传输层表面继续磁控溅射生长抗氧化保护和焊接层。本发明所有膜层均采用磁控溅射完成；采用在非平衡磁场分布下的高功率脉冲磁控溅射可以大幅度提高Ar气以及金属原子的离化率；通过在样品台施加磁场或偏
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113463054 B
(45)授权公告日 2022.08.09
(21)申请号 202110779476.X C23C 14/20 (2006.01)
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